微观装置的制造及其处理技术-ag尊龙凯时

一种mems传感器.本公开涉及半导体，特别涉及一种mems传感器。.基于微机电系统(microelectromechanicalsystems，mems)制造的力传感器被称为mems力传感器，mems力传感器作为按键、按钮的核心组件，被广泛应用于触控笔、键盘、车辆和机...

.本发明涉及用于提供多个气密密封的封壳的方法以及透明的封壳。.气密封闭的封壳可用于保护灵敏的电子器件、电路或例如传感器。因此可将医疗植入物应用在例如心脏的区域中、视网膜中或用于生物处理器。已知使用且应用由钛制成的封壳的生物处理器。.对于特别恶劣的环境条件可借助根据本发明的封壳保护传感器。在...

.本发明涉及一种用于制造微结构的方法。通常，微结构是以微机电系统(mems)的形式，其需要去除相对于基底或其他沉积材料的材料。特别地，本发明涉及一种改进的制造微结构的方法，所述方法采用通过氟化氢(hf)蒸气蚀刻二氧化硅的步骤。.氧化硅的各向同性蚀刻广泛地用于半导体和mems处理，主要用于晶...

mems器件.本实用新型涉及移动通信，尤其涉及mems器件。.mems(microelectromechanicalsystem，微机电系统)惯性传感器中的加速度传感器和陀螺仪器件正常工作时对环境的真空度的要求是不同的，陀螺仪要求高q值因此采用真空封装，而加速度计采用低压...

mems传感器封装单元及电子设备.本申请涉及半导体器件，尤其涉及一种mems传感器封装单元及电子设备。.mems是集微封装单元、微执行器、微机械结构、信号处理和控制电路等于一体的微型器件或系统。mems广泛应用于高新技术产业，常见的mems器件包括mems加速度计、mems...

.本发明涉及三维纳米网格结构的，具体涉及一种三维纳米网格结构的制备方法及其电子器件。.纳米材料能提高和改善电子器件的性能。例如，采用纳米材料(如纳米颗粒、纳米线、以及多孔薄膜)可以增加比表面积，从而提高半导体气体传感器和电化学传感器的性能(如灵敏度)。.对于利用纳米颗粒制作三维纳米...

.本发明涉及集成电路封装和医疗器材，特别涉及一种植入式磁场刺激探针装置的封装方法。.植入式刺激探针是常用于深度脑部刺激（deepbrainstimulation,dbs）的装置，临床上被用于治疗各类脑神经性疾病。常见的植入式刺激探针以直接接触的电极作为探针尖端，与神经元相接触，...

.本发明涉及一种吸气剂像元及其制备方法以及采用该吸气剂像元的红外焦平面探测器。.红外焦平面阵列是红外热成像仪的核心器件，红外焦平面阵列需要高真空环境才能正常工作，可利用置于真空腔内的吸气剂持续地吸收残余气体以确保真空环境的可靠性和持久性。目前，非制冷红外焦平面阵列根据不同的封装方式采用不同...

.本实用新型有关一种探针的制造装置，尤指通过微机电制程及激光蚀刻加工的一种微机电探针的制造装置。.一般半导体制程中，在完成晶圆加工但尚未进行切割封装之前，必须先以探针卡对晶圆阶段的ic进行电气特性测试，该测试报告除了可以将结果回馈给前段制程进行微调，以确保晶圆加工的合格率；同时，也可以先将...

mems器件.本公开涉及一种具有改善的应力分布的mems器件。.众所周知，mems(“微机电系统”)电子器件，诸如致动器和/或传感器，通常形成在容纳腔体的衬底上，并且包括可移动结构，该可移动结构悬置在腔体上并且通过弹性元件受限于固定区域。衬底、可移动结构和弹性元件可以是整体的，并...

.本发明属于基于介孔材料纳流控设计，具体涉及一种超组装策略制备垂直通道介孔碳钛/阳极氧化铝异质纳米通道(mct/aao)的制备方法。.纳米通道薄膜因其具有纳米尺寸通道，荷电的通道内壁在离子传输以及能量转换领域具有广泛的应用前景。纳米尺寸的荷电通道在电解质溶液中会产生双电层的重叠，由...

基于mems加工工艺在封装基板表面长铜柱的方法.本发明涉及半导体制造研发领域，具体涉及一种基于mems加工工艺在封装基板表面长铜柱的方法。.当今的半导体行业高速发展，特别是mems制造工艺（mems制造工艺microfabricationprocess是下至纳米尺度，上至毫米尺度...

.本发明涉及纳米机器人医疗应用领域，特别是涉及一种履带式纳米小车及其控制、制备方法。.纳米操控，包含纳米颗粒的运输、筛选、固定和运动，一直是自上而下或者自下而上建立纳米设备和系统的关键技术。.近年来，由于其在dna分析设备、芯片实验室技术、纳米机电设备和医疗科学中的广泛应用而受到越来越多的...

用于支撑mems和/或asic部件的装置.本发明涉及一种用于支撑微机电系统(mems)和/或专用集成电路(asic)部件的装置以及这种装置的阵列。.mems可以包括压力传感器、温度传感器、加速度计(可变电容或压阻)、力传感器、磁场传感器等。.为了处理mems捕获的传感器信号，mem...

一种二维mxenes材料的原子尺度mems传感器及其制备方法与应用.本发明涉及一种二维mxenes材料的原子尺度mems传感器及其制备方法与应用，属于集成电路领域、新型材料领域和电子信息领域。.mems(micro-electro-mechanicalsystems)传感器即微机...

一种具有z轴止挡的圆片级真空封装方法和mems封装结构.本发明涉及mems圆片级封装，尤其是涉及一种具有z轴止挡的圆片级真空封装方法和mems器件。.mems器件的封装成本最多已经占到了产品总成本的％，目前滞后的封装技术与高昂的封装成本严重制约了mems器件的产业化发展。圆...

.本申请涉及半导体，具体涉及一种基底及其形成方法、薄膜功能器件。.现有技术中，在制备mems(微机电系统)/nems(纳机电系统)薄膜器件时，通常会使用附有底电极的基板，一方面可以作为上层薄膜结构的生长基底，另一方面可以形成电回路的闭合。.目前，常用的底电极材料有铂(pt)、氧化铟...

.本发明涉及在基材上生长有纳米线的带纳米线的膜、以及在基材上制造纳米线的方法。.作为由氧化锌等金属氧化物构成的纳米线(纳米棒)的制造方法，已知有化学气相法、激光沉积法、水热合成法等各种方法。.其中，水热合成法能够比较简单地制造纳米线。例如，在专利文献中公开了如下方法：将在表面形成有晶种层的...

cmos-mems集成声换能器及其制备方法.本发明涉及cmos-mems集成的传感器制造，具体是一种cmos-mems集成声换能器及其制备方法。.电容式麦克风传感器和电容式超声换能器均是目前常见的传感器类的器件，在实际生活中的应用也越来越广泛。.电容式麦克风传感器包括相对应...

l型连接梁声发射器件及其制备方法.本发明涉及cmos-mems集成的传感器制造，具体是一种l型连接梁声发射器件及其制备方法。.声发射是物体内部在裂纹扩展、塑性变形或相变过程中产生应力或应变局部再分布而快速释放能量生成的瞬时高频应力波（或称声波)，声波的频率从几赫到几十兆赫。...